Поиск на сайте: Расширенный поиск


Новые программы oszone.net Читать ленту новостей RSS
CheckBootSpeed - это диагностический пакет на основе скриптов PowerShell, создающий отчет о скорости загрузки Windows 7 ...
Вы когда-нибудь хотели создать установочный диск Windows, который бы автоматически установил систему, не задавая вопросо...
Если после установки Windows XP у вас перестала загружаться Windows Vista или Windows 7, вам необходимо восстановить заг...
Программа подготовки документов и ведения учетных и отчетных данных по командировкам. Используются формы, утвержденные п...
Red Button – это мощная утилита для оптимизации и очистки всех актуальных клиентских версий операционной системы Windows...
OSzone.net Новости Hardware Университет Калифорнии разрабатывает энергонезависимую оперативную память MeRAM RSS

Университет Калифорнии разрабатывает энергонезависимую оперативную память MeRAM

Текущий рейтинг: 4.75 (проголосовало 16)
 Посетителей: 1834 | Просмотров: 1971 (сегодня 0)  Шрифт: - +

Исследователи из университета Лос-Анджелеса занимаются в настоящее время разработкой нового типа оперативной памяти, которая носит название MeRAM. Магнитоэлектрическая оперативная память является дальнейшим усовершенствованием более ранней разработки этого же университета, памяти типа MRAM – магниторезистивного типа.

MRAM использует технологию spin transfer torque (что примерно можно перевести как передача момента импульса элементарных частиц), которая основана на вращении электронов и связанном с ним магнитным импульсом для хранения информации. Плотность размещения этой информации здесь не слишком велика, так что объёмных продуктов памяти данного типа ждать не приходится. Слишком близкое расположение электронов друг к другу ведёт к ошибкам при записи данных. С этой проблемой призвана разобраться память типа MeRAM. Вместо потока электронов для записи данных используется разность потенциалов частиц, позволяя уменьшить нагревание. Такой подход к записи данных позволяет увеличить их плотность в пять раз, заодно сокращая уровень потребления энергии от десяти до тысячи раз.


*

В MeRAM используется наноструктура, контролируемые напряжением магнитно-изолированные узлы, которые в несколько уровней установлены друг на друга. Между ними расположены в два уровня прослойки магнитного материала: из них один обладает фиксированным направлением магнитного поля, в то время как у второго оно варьируется в зависимости от приложенного напряжения. При воздействии электрического поля между этими двумя слоями возникает разность потенциалов. Благодаря этой разности на поверхности слоёв скапливают электроны, за счёт которых и ведётся запись данных.

У различных типов памяти, как ставших популярными, так и не прижившихся - SRAM, DRAM, Rambus DRAM, SDRAM и DDR SDRAM, можно выделить одну общую черту, а именно энергозависимость. При выключении питания хранимые данные теряются окончательно и бесповоротно. MeRAM станет исключением из этого ряда, как и память типа MRAM. Последняя уже выпускается, что поспособствует более лёгкому распространению нового типа, поскольку их производство имеет много общих черт и может осуществляться на одних и тех же предприятиях.

Автор: Алексей Алтухов  •  Иcточник: vr-zone.com  •  Опубликована: 19.12.2012
Нашли ошибку в тексте? Сообщите о ней автору: выделите мышкой и нажмите CTRL + ENTER


Оценить статью:
Вверх
Комментарии посетителей
Комментарии отключены. С вопросами по статьям обращайтесь в форум.