Samsung сообщает о начале производства флеш-памяти типа 3D Vertical NAND

На рынке памяти на этой неделе царит оживление. Сначала малоизвестная компания Crossbar в понедельник представила свою разработку под названием Resistive RAM, а на следующий день всемирно известная Samsung анонсировала достижение стадии промышленного производства своего нового продукта в этой области, называемого 3D Vertical NAND.

Выпускаемые по 10 нм техпроцессу чипы призваны преодолеть проблемы масштабируемости имеющихся типов NAND-памяти и ряд других их недостатков. Инженеры Samsung использовали переработанную архитектуру Charge Trap Flash для создания трёхмерных уровней, которые могут устанавливаться поверх друг друга, увеличивая плотность хранения данных.

Вместо заряда или его отсутствия, что соответствует единицам и нулям, данная архитектура использует другой подход. Электрический заряд здесь помещается в отсек хранения непроводящего слоя, выполненного из нитрида кремния, вместо предотвращающего взаимодействие между соседними ячейками плавающего затвора. Проблемой используемых сейчас типов NAND-памяти является стирание данных. При стирании на диэлектрическом уровне ячейки остаются электроны, что со временем приводит к проблемам считывания данных из этой ячейки. Чем тоньше становится технологический процесс, тем более эта проблема обостряется.

В памяти V-NAND продолжительность работы ячеек увеличена от двух до десяти раз, и вдвое выросла производительность, если сравнивать с 10 нм чипами NAND-памяти с плавающим затвором. Первые выпускаемые чипы смогут вместить в себя 16 Гб данных; далее запланирован выпуск чипов объёмом 128 Гб с 24 уровнями. В будущем же Samsung прогнозирует выпуск чипов объёмом 1 Тб, для достижения которого сейчас используются восемь чипов как минимум.

Судя по описанию, решение от Samsung не дотягивает в плане производительности и объёма до анонсированной вчера RRAM. Зато продукт от Samsung имеет одно большое преимущество – десять лет разработки за плечами и уже начатое промышленное производство, так что устройств с чипами 3D Vertical NAND в составе можно ждать уже в скором времени. Особенные надежды стоит возложить на твердотельные накопители, которые в случае приемлемой стоимости могут серьёзно потеснить жёсткие диски.