LSI SandForce представила технологию коррекции ошибок флеш-памяти SHIELD

Компания LSI SandForce распространила информацию о новом методе коррекции ошибок, который будет использоваться в  будущем поколении контроллеров компании для твердотельных накопителей, под названием SHIELD. В Калифорнии, на конференции Flash Memory Summit, о которой мы уже упоминали в одной из предыдущих новостей, SandForce рассказала о технологии, которая нацелена на продление жизненного цикла памяти NAND на современных тонких технологических процессах.

Снижение размеров чипов памяти положительно сказывается на себестоимости её производства и уровне энергопотребления, а вот количество ошибок только возрастает. Защита SHIELD будет обладать многочисленными уровнями их коррекции. Первая фаза представляет собой контроль чётности с низкой плотностью (HLDPC). Эта процедура обладает низким уровнем приоритета и не влияет на производительность, однако является достаточной для всеобъемлющего поиска ошибок.

Те ошибки, которые сумеют ускользнуть от данной проверки, встречают на своём пути пять уровней программных проверок чётности (SLDPC). Эти уровни используют передовые алгоритмы обработки помех и сигнала для коррекции ошибок, однако, каждый уровень увеличивает величину задержки.

Защита SHIELD будет активироваться только при соблюдении определённых условий и уровень применяемой коррекции будет определяться на основе алгоритмов, о которых разработчики пока не говорят. Если же ошибка проходит через все уровни защиты, активируется последний бастион под названием RAISE. Этот уровень действует на основе принципа избыточности, применяемого, в частности, в RAID-массивах и нынешних контроллерах SandForce, с добавлением задержки в 10 мс. Этот уровень используется реже всего.

Новые контроллеры отправятся в производство уже в этом квартале, так что могут появиться в продуктах до конца года.