Samsung выпускает планки памяти DDR4 объёмом 32 Гб на 20 нм техпроцессе

Компания Samsung анонсировала новые чипы памяти стандарта DDR4 на основе 20 нм технологического процесса, которые призваны повысить объём устанавливаемой в слоты DIMM памяти. Сейчас в серверных и настольных ПК в каждый слот можно установить 32 Гб.

Samsung также представляет планки памяти объёмом 32 Гб (чипы объёмом 1 Гбит), однако в дальнейшем планирует начать выпуск планок по 128 Гб - подобное производство уже ведётся, и вопрос заключается лишь во времени массового выхода такой памяти на рынок. Это станет возможным за счёт использования соединений типа Through-Silicon Vias (TSVs) - технологии, которая в последние несколько лет находилась в статусе «почти готова».

Первые выпускаемые Samsung планки памяти работают на тактовой частоте 2,4 ГГц, обладая при этом большей энергоэффективностью по сравнению с DDR3. Подобная память открывает широкие перспективы в сегменте суперкомпьютеров: если Samsung сможет вчетверо увеличить плотность её размещения, материнские платы в 32 сокетами станут вмещать 4 Тб памяти вместо 1 Тб. В таком случае Intel придётся поработать над своими серверными процессорами, поскольку сейчас 15-ядерный Xeon E7v2 способен управиться лишь с 1,5 Тб памяти на ядро.

Представленная память обладает усовершенствованным кодом коррекции ошибок ECC и работает на напряжении 1,2 В, расход энергии по сравнению с 40 нм DDR3 уменьшен на 50%. Среди потребительских компьютеров DDR4 поддерживает пока только чипсет Intel X99, в будущем году ожидается появление поддержки в процессорах Skylake.