Samsung анонсировала 256-гигабитную флеш-память 3D V-NAND

Компания Samsung анонсировала начало промышленного производства 256-гигабитной памяти 3D V-NAND, которая призвана увеличить вместимость твердотельных накопителей. Южнокорейская компания в этом году уже представила SSD объёмом 2 Тб в линейке EVO 850, а теперь готовиться удвоить вместимость при сохранении размеров чипов.

Новая флеш-память 3D V-NAND может включать в себя 85,3 млрд. ячеек, каждая из которых способна хранить три бита данных, что в сумме означает 256 млрд. бит или 256 Гбит. В прошлом году продукты Samsung были основаны на памяти 128 Гбит. Новые чипы достигнут объёма 32 Гб при сохранении площади, при этом расход энергии уменьшен на 30%, а производительность выросла на 40%.

В августе прошлого года Samsung анонсировала 2-е поколение 3D V-NAND типа MLC с 32 слоями, что позволяло создавать чипы 128 Гбит или 16 Гб. На этот раз число слоёв увеличено до 48. Новые чипы войдут в состав накопителей с интерфейсами PCIe NVMe и SAS. До конца года должны появиться новые модели для потребительского рынка.