Western Digital начинает производство 64-слойной памяти 3D NAND

Компания Western Digital анонсировала начало производства чипов флеш-памяти 3D NAND с максимальной на данный момент плотностью хранения данных. Здесь будут вертикально располагаться 64 слоя и в каждой ячейке хранится по 3 бита.

Чипы памяти 3D NAND основаны на трёхмерной технологии, которую Western Digital и Toshiba называют BiCS (Bit Cost Scaling). Western Digital запустила пробное производство первых чипов объёмом 512 Гбит с 64 слоями.

Вертикальное расположение позволяет увеличить плотность и уменьшить площадь чипов по сравнению с памятью 2D, что снижает себестоимость производства в пересчёте на 1 Гб. Также технология повышает надежность хранения данных и скорость работы твердотельной памяти. Трёхмерная память NAND позволяет производителям обойти физические ограничения размера транзисторов.

Последние разработки 3D NAND дали возможность создать компактные твердотельные накопитель объёмом более 3,3 Тб и стандартные накопители формата 2,5 дюйма вместимостью больше 10 Тб. Samsung первой анонсировала начало промышленного производства чипов 3D NAND в 2014 году. Технология V-NAND состояла из 32 слоёв и хранила 3 бита в ячейке. Другими производителями являются Toshiba, Intel и Micron. Western Digital первой анонсировала технологию 3D NAND с 64 слоями в июле 2016.

Пробное производство начнётся в Японии на фабрике в городе Йоккайти, промышленное производство должно начаться во втором полугодии.