Тестирование четырех комплектов оперативной памяти DDR3

OSzone.net » Железо » Память » Оперативная память » Тестирование четырех комплектов оперативной памяти DDR3
Автор: Александр Митрофанов
Иcточник: www.3dnews.ru
Опубликована: 30.08.2010

За последние пару лет на рынке ПК произошли значительные изменения, которые напрямую касаются оперативной памяти. В частности, пошла на спад популярность процессоров Intel LGA775, которые постепенно вытесняются различными моделями LGA1156 и LGA1366. Последние, как вы знаете, имеют встроенный контроллер памяти, который ранее находился в северном мосту чипсета. Различные контроллеры памяти имеют некоторые особенности, поэтому пользователь может столкнуться с ситуацией, когда хорошая в общем-то память нуждается в замене. В частности, у нас именно такая ситуация и возникла, так как тестовый комплект памяти A-Data AD31600X001GU на некоторых материнских платах с чипсетом Intel P55 оказался неспособен работать в режиме DDR3-1333. Хотя сама память тут не причем, поскольку с чипсетом Intel P45 этот комплект стабильно работал вплоть до частоты DDR3-1800. По всей видимости, основная причина проблемы кроется в совместимости "старой" оперативки с "новым" контроллером памяти процессоров Intel Core i7/i5/i3. Кроме этого, свой вклад вносят разработчики материнских плат, которые оптимизируют программный код BIOS для установки тех или иных режимов работы оперативной памяти. На практике это выглядит очень просто - дорогие платы ведущих производителей имеют значительно лучшую совместимость с различными модулями памяти. В частности, плата ASUS P7P55D Deluxe без проблем заработала с памятью A-Data AD31600X001GU.

Следующее изменение касается объема модулей памяти. Благодаря широкому распространению 64-разрядных операционных систем (прежде всего MS Windows 7) пользователь может собрать компьютер с объемом оперативной памяти 4 Гб или более. Для справки, 32-разрядная ОС "видит" только 3 Гб, за исключением Windows XP SP1. Соответственно, большие объемы памяти стали востребованными и производители памяти оперативно начали выпуск комплектов объемом 4 Гб.

Учитывая все вышесказанное, мы решили расширить тестовый набор памяти, и включить в него самые свежие планки от недорогой DDR3-1333 до оверклокерской DDR3-2000. Итак, на стенд попали четыре набора оперативной памяти: три производства польской компании Wilk Elektronik (GOODRAM), и один - немецкой компании CSX.

*

CSX DIABLO3-2000

Начнем с последнего комплекта, который включает два модуля объемом по 1 Гб, выполненных на чипах Micron D9GTR. Из технических особенностей стоит отметить 8-слойную печатную плату, массивную систему охлаждения, а также поддержку рабочего напряжения вплоть до 2,1 В.

*

Впрочем, эти модули выступают "вне зачета", поскольку они относительно "старые" и предназначены в основном для работы с системами на чипсетах Intel P45, X38 и NVIDIA.

*

Программа CPU-Z предоставляет следующую информацию SPD:

*

Изучение обзоров в интернете показало, что это действительно очень хорошие модули, которые на платформе Socket LGA775 способны работать в режиме DDR3-2000 и даже выше. Однако с новыми процессорами Intel Core i5/i7 результаты оказались не столь хороши. Это подтвердили и наши тесты. В системе с процессором Intel Core i5-750 (ядро Lynnfield) максимальный стабильный режим работы модулей составил DDR3-1900 при напряжении Vmem 1,85 В.

*

Как можно заметить, стабильность работы в этом режиме обеспечена благодаря завышенными таймингами (установлены по SPD).

GOODRAM GR1333D364L9/4GDC

Теперь переходим к модулям памяти GOODRAM GR1333D364L9/4GDC, штатный режим работы которых составляет DDR3-1333.

*

Модули выполнены на шестислойной печатной плате, а объем каждой планки равен 2 Гб.

*

Информация SPD:

*

На первый взгляд кажется, что перед нами заурядная память с невысоким потенциалом разгона. Однако если присмотреться внимательно, то можно заметить чипы Micron серии D9.

*

Благодаря последним память GOODRAM GR1333D364L9/4GDC показала замечательные результаты разгона - стабильная работа в режиме DDR3-2000 с таймингами 10-14-14-31 при напряжении Vmem 1.65 В.

*

А при повышении напряжения Vmem до уровня 1.75 В модули прекрасно работали в режиме DDR3-2000 с таймингами 9-9-9-31.

*

GOODRAM GY1600D364L8/4GDC

Следующий комплект памяти также произведен компанией GOODRAM и имеет маркировку GY1600D364L8/4GDC. Он выпущен несколько недель назад и является "горячей" новинкой. Комплект состоит из двух модулей объемом 2 Гб каждый и относится к серии Play. Последняя предназначена для компьютерных энтузиастов, которых не удовлетворяет производительность недорогой памяти DDR3-1333, но которые также не готовы платить деньги за дорогую оверклокерскую память DDR3-2000. Как понятно из маркировки, штатный режим работы модулей памяти равен DDR3-1600.

*

Модули этой серии выполнены на 6-слойной печатной плате, используют чипы Micron D9 и оборудованы радиаторами для лучшего теплоотвода.

*
*

Тестирование этого комплекта показало, что память остается стабильной вплоть до режима DDR3-2000 с таймингами 10-14-14-31 при напряжении Vmem 1,65 В.

*

При ручной установке таймингов 9-9-9 и повышении напряжения Vmem до уровня 1,75 В память работала нестабильно. Стабильная работа была достигнута только после увеличения напряжения Vmem до значения 1,85 В:

*

Применительно к рассмотренным выше комплектам можно утверждать, что модули памяти GOODRAM GR1333D364L9/4GDC являются недорогой версией модулей GOODRAM GY1600D364L8/4GDC Play, так как выполнены на тех же самых чипах, но не используют радиаторы. Отметим, что модули GOODRAM DDR3-1333 показывают чуть лучшие результаты при разгоне.

GOODRAM GP2000D364L7/4GDC

И, наконец, переходим к комплекту GOODRAM серии Pro, который рассчитан на работу в режиме DDR3-2000. Маркировка модулей - GP2000D364L7/4GDC, объем каждого - 2 Гб. Модули выполнены на 8-слойной печатной плате и использую чипы Elpida Hyper.

*
*

Рабочее напряжение этих модулей находится в диапазоне от 1,7 В до 1,9 В.

*

Программа CPU-Z предоставляет следующую информацию SPD:

*

В штатном режиме память работает в соответствии с заводскими спецификациями.

*

Однако потенциал разгона данных модулей памяти не слишком велик. Максимум, чего мы добились, стабильной работы в режиме DDR3-2160 при несколько увеличенных таймингах и напряжении Vmem равным 1,75 В.

*

Отметим, что увеличение напряжения Vmem до уровня 1,85 В не привело к улучшению результатов. Последнее замечание по комплекту памяти GOODRAM DDR3-2000 Pro - он не является новинкой, так как был выпущен около года назад. Однако при разработке модулей были учтены последние требования Intel и особенности работы контроллеров памяти процессоров Core i5/i7.

Тестирование

В тестовой системе было использовано следующее оборудование:

Тестовое оборудование
ПроцессорПроцессор Intel Core i5 750 (LGA1156; 2,66 ГГц; ядро Lynnfield)
КулерБоксовый;
Материнская платаGigabyte P55-UD6-С
ВидеокартаASUS GTX 285 (NVIDIA GTX285; PCI Express x16)
Версия драйвера: 196.21 WHQL
Звуковая карта-
HDDHitachi Deskstar
Блок питанияFloston Energetix E2FP-1000W
OSMS Windows 7

Результаты тестирования.

*

Выводы

Итак, если вам необходима оперативная память, гарантированно работающая в режиме DDR3-2000, то мы рекомендуем использовать модули памяти GOODRAM DDR3-2000 Pro. Что касается модулей памяти GOODRAM DDR3-1333 и GOODRAM DDR3-1600 Play, то оба комплекта также заработали в режиме DDR3-2000, причем при довольно неплохих таймингах. Более того, комплект недорогой памяти GOODRAM DDR3-1333 заработал в режиме DDR3-2000 при более низком напряжении, нежели более дорогой комплект GOODRAM Play.

В принципе, можно утверждать, что модули GOODRAM GY1600D364L8/4GDC Play это те же самые модули GR1333D364L9/4GDC, только с радиаторами. Однако не стоит сломя голову гнаться за недорогой памятью. Дело в том, что в ассортименте GOODRAM присутствует память DDR3-1333 на различных чипах Elpida. И хотя в GOODRAM тщательно отбирают чипы при производстве памяти, нет гарантии, что разгонный потенциал упомянутых модулей будет так же хорош, как у модулей DDR3-1333 на чипах Micron D9. Что касается памяти GOODRAM DDR3-1600 Play, то тут все гораздо проще - все модули этой серии выпускаются на чипах Micron D9. Кроме того, разница в рекомендованной розничной цене модулей DDR3-1333 и DDR3-1600 Play составляет всего $18 ($100 и $118, соответственно). На наш взгляд, это является небольшой переплатой за гарантированный разгонный потенциал. Впрочем, для пользователей, имеющих возможность посмотреть и "пощупать" модули перед покупкой, а также посетителей магазинов, где имеется возможность "манибек", наша рекомендация иная - обратите свое внимание на модули GOODRAM GR1333D364L9/4GDC, выполненных на чипах Micron D9.

Что касается модулей памяти старого поколения, то какие бы высокие результаты они не показывали на платформе LGA775 с чипсетами X38/P45, это вовсе не значит, что аналогичные результаты они продемонстрируют и на платформе LGA1156. В одних случаях максимальная частота памяти может не измениться, но в других - резко упасть. Кроме того, очень много зависит от степпинга процессора и версии его контроллера памяти. В качестве примера приведем тестовый процессор Intel Core i5 750 на ядре Lynnfield, который используется в нашей тестовой лаборатории довольно продолжительное время. Он является самым ранним инженерным образцом, и его характеристики вызывают определенные нарекания. В частности, ни на одной из плат LGA1156 мы не смогли достигнуть частоты Bclk выше 198 МГц, а оперативная памяти A-DATA нормально работала на штатной частоте DDR3-1333 на двух-трех материнских платах из десяти. Заменив процессор на точно такой же, но купленный в магазине неделю назад, мы на тех же самых платах получили лучшую совместимость с оперативной памятью (включая тестовый комплект A-DATA DDR3-1333), а также с легкостью достигли частоты Bclk равной 220 МГц на платах ASUS P7P55D Deluxe и Gigabyte P55-UD6 (другие платы пока не пробовали). И, наконец, помимо самой памяти и процессора, важную роль играет BIOS материнской платы, от версии которого может зависеть максимальная стабильная частота оперативной памяти.


Ссылка: http://www.oszone.net/13097/DDR3