Компании IBM и Micron Technolgies объявили вчера о начале производства нового продукта, так называемого Hybrid Memory Cube (НМС, куб гибридной памяти). Для этого будет использоваться технология производства чипов Intel под названием Through Silicon Vias. Новый процесс даст компании Micron возможность выпускать в 15 раз более быструю память, чем сейчас, при этом потребляющую на 70% меньше энергии, и занимающую на 10% меньшую площадь.
НМС представляет собой многоуровневую конструкцию чипов, соединённых посредством вертикальных трубок. Чипами будут 32 нм модели от IBM. Множество чипов объединятся, создавая электрическую цепь. Существующие сейчас прототипы системы обладают пропускной способностью 128 Гбит/с. Более подробно о технологии будет рассказано 5 декабря на Международной выставке электронных устройств.
Итак, по сравнению с нынешними модулями памяти DRAM скорость выросла в 15 раз. Сократилось время задержек, уменьшились физические размеры чипа, так что можно ожидать появление памяти с большой производительностью и объёмом. Логический уровень делает возможным использование новых чипов с широком диапазоне устройств и приложений, и даёт надежды на появление этого типа памяти в персональных компьютерах.
«Это событие станет вехой в индустрии на её пути к производству трёхмерных проводников. В следующие несколько лет технология производства трёхмерных чипов станет доступна для потребительских устройств, приведя к радикальному продлению времени работы аккумуляторов и улучшению функциональности устройств».