Всё IT-сообщество находится в предвкушении полномасштабного появления оперативной памяти стандарта DDR4. Сертификаты разработаны и утверждены; прототипы работают; поговаривают, что процессорные гиганты готовы к интеграции однако готовых решений всё нет. Память стандарта DDR3, в свою очередь, вышла на пик своих возможностей. И се

Компания Samsung объявила вчера о начале промышленного производства оперативной памяти 4 Гб DDR3 DRAM на основе 20 нм технологического процесса. Первые образцы данных чипов памяти были представлены ещё год назад. С производственной точки зрения эффективность выпуска 20 нм памяти на 30% выше, чем 25 нм DRAM DDR3 и почти в два раз

Консорциум НМС, в состав которого входят такие именитые производители памяти, как Samsung и Micron, сообщил о создании опытных образцов нового типа оперативной памяти. По словам разработчиков, новое решение (в честь которого и названа организация) значительно превосходит DDR3 и DDR4 как по быстродействию, так и по энергопотреблению.

Компьютерному энтузиасту Кристиану Нею удалось установить новый рекорд разгона оперативной памяти DDR3. Используя ускоренный процессорный элемент AMD Llano, а именно модель A8-3870, и жидкий азот в системе охлаждения, ему удалось добиться частоты памяти 3900 МГц, превзойдя предыдущий рекорд на 300 МГц. Звание самой быстрой памят

Компания G.Skill, одна из главных производителей модулей оперативной памяти для компьютерных энтузиастов, вчера представила новые модели, нацеленных на извлечение максимальной производительности из систем на новых процессорах Intel Ivy Bridge. Одна из них, работающая на частоте 2,8 ГГц, может считаться наиболее быстрой 2-кан

Компания Hynix Semiconductor объявила, что разработала чипы DDR4 DRAM размером 2 Гб и модули памяти на их основе DDR4 DRAM ECC-SODIMM (Error Check Correction Small Outline Dual In-line Memory Module). В производсте использовались новейшие 30нм технологические процессы. Модуль памяти DDR4 DRAM соответствует стандарту JEDEC и пред

Тайваньская компания Apacer анонсировала модули оперативной памяти, которые получили название Ares DDR3 Overclocking. Названные в честь древнегреческого бога войны Ареса модули оснащены передовыми чипами памяти, а новейшая система охлаждения, главной особенностью которого является диаметр ее ребер, удерживает уровень шума на нев

Оптовые цены на оперативную память на прошлой неделе резко пошли вниз в результате панических попыток освободить складские запасы производителями микросхем.

КомпанияTranscend выпустила несколько новых модулей памяти DDR3 DRAM объемом 4 ГБ: полноразмерный модуль DDR3-1333 МГц Long-DIMM и модули для ноутбуков DDR3-1333 SO-DIMM и DDR3-1066 МГц SO-DIMM. Каждый модуль работает от напряжения 1.5 В и использует в своей работе 2 Гб DDR чипы. Благодаря применению 40 нм технологии, создателям

Южнокорейская компания Samsung Electronics, мировой лидер в области чипов памяти, объявила о старте массового производства модулей памяти нового поколения для ноутбуков и мобильных рабочих станций. Изготовленные на основе 40 нанометрового техпроцесса, модули SoDIMM или UDIMM используют чипы емкостью 4 гигабита типа DDR3. Емкость