Компания Hynix Semiconductor объявила, что разработала чипы DDR4 DRAM размером 2 Гб и модули памяти на их основе DDR4 DRAM ECC-SODIMM (Error Check & Correction Small Outline Dual In-line Memory Module). В производсте использовались новейшие 30нм технологические процессы. Модуль памяти DDR4 DRAM соответствует стандарту JEDEC и предназначен для использования в микро-серверах.
DDR4 DRAM является памятью нового поколения, которая потребляет меньше энергии, в то время как передает данные в два раза быстрее, чем существующие модули DDR3 DRAM. Каждый из восьми чипов памяти DDR4 DRAM работает на максимальной скорости в 2400 Мбит/с, что на 80% быстрее, чем скорость памяти DDR3 (1333 Мбит/с). Модуль памяти работает на напряжении 1,2 В, а скорость составляет до 19,2 ГБ/с. "Модули DDR4 полностью удовлетворяют различным требованиям: экологичность, низкое энергопотребление, высокая производительность", сказал Джи-Бум Ким (Ji-Bum Kim), директор по маркетингу Hynix. "С помощью этого продукта, компания Hynix будет в состоянии обеспечить своих клиентов высокотехнологичными решениями не только на рынке ПК и серверов, но и на рынке планшетов".
Hynix планирует начать массовое производство модулей памяти DDR4 во второй половине 2012 года.
По данным исследовательской компании iSuppli, доля DRAM DDR4 увеличится с 5% в 2013 году до более чем 50% в 2015 году и займет доминирующее положение на рынке. Что касается спроса на модули памяти DDR3 DRAM, то он достигнет своего пика в 2012 году с долей 71%, а в 2014 году снизится до 49%.
