Исследователи компании IBM объявили об успехах в разработке нового типа памяти, известной как память с изменением фазового состояния (PCM). Она позволяет надёжно хранить многочисленные биты данных в одной ячейке в течении продолжительного периода времени при скоростях в несколько раз выше, чем у современной флеш-памяти. Хотя IBM не первая компания, работающая над этим типом памяти, ей впервые удалось преодолеть так называемую проблему «смещения», вызывающую ошибки при продолжительном хранении данных.
Работа PCM основана на сохранении данных в маленьких ячейках халькогенидов, соединений, переходящих из кристаллического в аморфное состояние и обратно под воздействием электричества. PCM память похожа на RAM в том смысле, что биты могут быть изменены индивидуально, а не только блоками как в NAND и NOR. PCM является устойчивой и не требует энергии для сохранения данных на своих местах, благодаря чему эффективность памяти значительно возрастает.
Главной проблемой мультибитовой памяти с изменением фазового состояния является смещение электронов, что изменяет сопротивление в схеме чипа и приводит к ошибкам чтения данных. Для преодоления этой проблемы IBM применила улучшенную технику кодирования модуляции, которая корректирует эти ошибки. Были показаны результаты чтения данных из массива ячеек спустя несколько месяцев после записи. Однако для массового выпуска данные должны быть проверены спустя несколько лет после записи. IBM с планирует начать использование PCM памяти в серверах к 2016 году.