Компания Samsung начала производство 20 нм чипов, а компания Elpida представила DDR3 4 Гб, выполненную по 25 нм технологии.
Время от времени полупроводниковые изделия становятся более энергоэффектиными и производительными. Главной причиной этого является переход на более тонкий производственный процесс. Новые чипы памяти от Elpida созданы по 25 нм техпроцессу, обладают частотой 1,866 МГц и двумя различными настройками напряжения.
Первым значением является 1,35 В, а вторым более привычная величина в 1,5 В. Этим особенности чипа не ограничиваются. Энергопотребление на 25-30 % ниже, чем у 30 нм памяти объёмом 4 Гб в рабочем режиме, и на 30-50% меньше в простое. Производительность выросла примерно на 45%.
Массовое производство чипа и, соответственно, поставка оперативной памяти на его основе ожидается к концу нынешнего года. Она будет применяться в широком диапазоне устройств, включая персональные компьютеры, смартфоны, планшеты. Для ультрабуков же такие энергоэффективные производительные чипы памяти станут настоящей находкой, ибо в сочетании с процессорами класса ULV продолжительность автономной работы ультрабуков сможет составить двузначные числа.
