Японские инженеры разработали гибридный твердотельный накопитель, использующий флеш-память типа NAND высокой ёмкости вместе с памятью типа ReRam (Resistive Random Access Memory). Такое сочетание позволяет будущим устройствам записывать информацию в одиннадцать раз быстрее, чем современные SSD.
Возглавляет исследования профессор Кен Такеичи (Ken Takeuchi) из Университета Чуо, и первые результаты были представлены на симпозиуме VLSI Circuits 2012, проводимом на Гавайях. Представленный там накопитель обладал памятью NAND объёмом 256 Гб и ReRam 8 Гб, последняя использовалась для кеширования и хранения наиболее часто запрашиваемых данных.
Кроме возросших скоростей, разработчики обещают большую на 93% энергоэффективность. Заодно с этим продолжительность жизни новых гибридных накопителей должна вырасти в семь раз. Достигается это за счет того, что информацию будет записываться на память ReRam в 30 раз чаще, чем на NAND, с применением алгоритма записи MRU (most recently user, наиболее недавно используемые данные). Конечно, память типа ReRam нельзя назвать дешёвой, однако с учетом всех преимущество средняя стоимость будущих накопителей должна заметно снизиться.
Однако до появления на прилавках магазинов такие накопители должны будут пройти длинный путь. Главным препятствием сейчас является уже упомянутая высокая стоимость ReRam-памяти.