Компания Samsung объявила о начале поставок первых опытных образцов 2-канальных модулей оперативной памяти DDR4 RDIMM (Registered DIMM) объёмом 16 Гб, предназначенных для установки в промышленные серверы. Поскольку южнокорейская компания является ведущим производителем оперативной памяти, первой выпустила память типа DDR в 1997 году, выглядит вполне естественным, что именно она задаст тон в процессе перехода к памяти 4-го поколения. Выпуск промышленных образцов данных серверных модулей запланирован на следующий год.
В настоящее время компания производит инженерные образцы памяти объёмом 8 Гб и 16 Гб, основанные на микросхемах, выпускающихся по 30 нм технологическому процессу и работающих на напряжении 1,2 В. Преимущества по сравнению с памятью прошлого поколения очевидны: по сравнению с работающими на 1,32 В модулями DDR3 они потребляют на 40% меньше энергии. К сожалению, разработчики не называют тактовые частоты, на которых работает данная память; однако, они обещают к следующему году удвоить пропускную способность нынешней памяти DDR3, которая составляет 1600 Мбит/с при тактовой частоте 3,2 ГГц.
Первые опытные образцы памяти Samsung отправила ведущим производителям микропроцессоров и контролеров ещё в прошлом месяце. По обещаниям инженеров компании, новые модули обеспечивают высочайшую плотность размещения элементов и новые уровни производительности для промышленных серверных систем. В настоящее время Samsung продолжает работать над приведением спецификаций к соответствию требованиям комитета инженерной стандартизации полупроводниковой продукции JEDEC, и планирует закончить эту работу к августу.
В дальнейшие планы южнокорейской компании в этом сегменте рынка входит постепенное увеличение спроса на данные модули памяти и начало выпуска модулей DDR4 объёмом до 32 Гб по более передовому 20 нм техпроцессу в следующем году.