Новости об исследованиях в сфере памяти с изменяемым фазовым состоянием (phase-change memory, PCM) появляются в последние годы довольно регулярно, однако до её широкого коммерческого применения дело пока не доходило. Изменить сложившееся положение дел и выпустить на рынок конкурента для флеш-памяти собирается компания Micron. Согласно её планам, первыми устройствами с памятью нового типа должны будут стать мобильные телефоны (не смартфоны).
По словам представителей Micron, такой выбор обусловлен тем, что поначалу компания будет выпускать чипы PCM объёмом 1 Гб по 45 нм технологическому процессу совместно с мобильной памятью LPDDR2 объёмом 512 Мб. От смартфонов и планшетов в настоящее время требуются более объёмные чипы, к выпуску которых индустрия пока не готова, учитывая младенческое состояние данной технологии. Освоение чипов более высокой платности и меньшего размера ожидается позднее.
Несмотря на то, что память типа флеш весьма неплохо справляется со своими обязанностями по долгосрочному хранению данных, считается, что новый тип памяти даже более пригоден для этой цели. Micron заявляет, что её применение повысит скорость работы с памятью, сократит энергопотребление, упростит написание программного обеспечения, уменьшит время загрузки устройств и обеспечит высочайший уровень надёжности хранимых данных. PCM-память отличается методом, которым она сохраняет информацию. Поликристаллический материал, на котором она основана, при повышении температуры переходит из кристаллического в аморфное состояние. Достигается это приложением электрического заряда к определённым участкам материала. При нынешнем развитии технологии такое точечное воздействие электричества выполняется с высочайшей точностью, позволяя изменять состояние отдельных «ячеек», которые и хранят биты информации.
Главным преимуществом PCM является возможность изменения состояния отдельных ячеек без необходимости их предварительного стирания и приложения дополнительного напряжения для сброса заряда. Именно из-за этого у чипов флеш-памяти скорость чтения больше, чем записи. PCM-память лишена этого недостатка и, если будут достигнуты достаточно высокие скорости работы данного типа памяти, в будущем возможно сращивание оперативной и постоянной памяти в единое целое.