Американская компания Everspin Technologies в начале недели анонсировала начало поставок первых коммерческих образцов магниторезистивной оперативной памяти ST-MRAM. Память такого типа обладает быстродействием, в 500 раз превышающим возможности современных твердотельных накопителей – правда, и стоит она в 50 раз дороже. Данные здесь хранятся в виде магнитных моментов, вместо привычных электрических зарядов. Это позволяет избежать таких проблем флеш-памяти, как деградация данных и уменьшить физический износ.
Спецификации выпускаемых компанией чипов ST-MRAM выглядят весьма внушительно: 1,6 миллиарда операций ввода/вывода в секунду, пропускная способность до 3,2 Гбит/с и задержки, измеряемые в наносекундах. Для сравнения, накопитель OCZ Vertex 4 на 512 Гб обладает такими характеристиками: 120 тысяч IOPS, 500 Гбит/с и микросекундными задержками.
Однако, некоторые недостатки данного типа памяти делают её скорее вспомогательным решением для поддержки флеш-памяти, а не полной её заменой. Главный недостаток уже был назван выше – высокая стоимость. Остаётся надеется, эта проблема будет решена со временем, как и в случае с твердотельными накопителями, цена которых поначалу также измерялась десятками тысяч долларов. Другой проблемой является высокий уровень энергопотребления. Если чип NAND ёмкостью 64 Гб потребляет примерно 80 мВт, то для всего 1 Гб ST-MRAM этот показатель в пять раз выше.
Чип Everspin EMD3D064M обладает ёмкостью 64 Мб и соответствует требованиям JEDEC к интерфейсу DDR3. Выпускается данная модель в корпусах WBGA по 200 мм технологическому процессу и является первой в технологических планах компании. Там же значатся чипы с ёмкостью до 1 Гб и ещё более высоким уровнем производительности. Сейчас осуществляется поставки опытных образцов, а массовые продажи запланированы на будущий год.