Твердотельные накопители линейки OCZ Vertex 3 в ближайшее время получат небольшое аппаратное обновление в виде перехода с использования чипов NAND 25 нм на 20 нм версии. Это должно поспособствовать снижению себестоимости производства накопителей, улучшить температурные характеристики и немного снизить уровень энергопотребления. Таким образом, OCZ присоединится к другим компаниям, уже предлагающим накопители на 20 нм NAND-чипах, в частности, к Samsung с её серией SSD 840 и Intel 335.
Модели линейки Vertex 3.20 будут представлены с объёмами 120 Гб, 240 Гб и, чуть позднее, 480 Гб. Они выполнены в форм-факторе 2,5 дюйма, с интерфейсом SATA III и чипами типа Multi-Level Cell. Имеющиеся же в настоящее время в продаже накопители серии Vertex 3 содержат также 60 Гб и 90 Гб варианты. Как и существующие модели, модернизированные версии будут основаны на контроллерах LSI SandForce SF-2200, при этом их производительность по неназванным причинам окажется немного ниже, чем раньше. Последовательная скорость чтения и записи остались неизменны: 550 Мб/c и 520 Мб/c; зато максимальные скорости произвольного чтения и записи снизились с 60000 и 85000 IOPS до 35000 и 65000 IOPS соответственно. Накопители будут предлагаться с трёхлетней гарантией.