Консорциум НМС (Hybrid Memory Cube), в состав которого входят такие именитые производители памяти, как Samsung и Micron, сообщил о создании опытных образцов нового типа оперативной памяти. По словам разработчиков, новое решение (в честь которого и названа организация) значительно превосходит DDR3 и DDR4 как по быстродействию, так и по энергопотреблению.
Стимулом к началу исследований послужила проблема так называемого «барьера памяти» («memory wall»). Суть ее заключается в том, что чипы памяти отстают в темпах развития от процессоров и являются узким местом в канале обмена информации между этими двумя устройствами. Как говорится в пресс-релизе консорциума, для решения этой проблемы требуется совершенно новая архитектура, прототип которой и был представлен.
Инженеры консорциума предлагают использовать чипы памяти, состоящие из наложенных друг на друга слоев. За взаимодействие между слоями через находящийся в основе конструкции общий контроллер будет отвечать технология VIA (Vertical Interconnect Access). На сегодняшний момент прототип позволяет операционной системе использовать 128 или 256 блоков памяти при ее объеме в 2 или 4 Гб. При этом скорость передачи в обоих направлениях может достигать 160 Гб/с. Для сравнения, скорость передачи данных памяти типа DDR3 достигает 11 Гб/с, а DDR4 – 18-20 Гб/с. Кроме того, при почти 15-кратном приросте производительности разработчики планируют снизить энергопотребление памяти на 70%.
Похожую технологию анонсировала недавно Nvidia, говоря о выпуске GPU на архитектуре Volta в 2015 году. При этом «зеленый» гигант обещает довести скорость передачи данных до 1 Тб/с, превзойдя показатель НМС, но и сроки выпуска серийных моделей чипов, указанные Nvidia и консорциумом, тоже значительно отличаются. Так, компания Micron планирует начать тестирование своих прототипов уже осенью и запустить их в серийное производство в первой половине 2014 года.