Компания Samsung на этой неделе объявила о начале производства первых в IT-индустрии сверхскоростных чипов мобильной памяти типа LPDDR3 4 Гб, используя 20 нм технологический процесс.
Память LPDDD3 4 ГБ способна передавать данные на скорости 2133 Мб/c. Это более чем в два раза больше показателя памяти предыдущего поколения LPDDR2, у которой он составляет 800 Мб/с. Чипы памяти Samsung LPDDR3, по словам производителей, сделают возможным плавное воспроизведение видеоизображения в формате высокой чёткости на смартфонах с диагональю экранов от 5 дюймов. Если сравнивать с чипами памяти LPDDR3, производящимися по 30 нм техпроцессу, в новинках Samsung уровень энергопотребления снижен на 20% при одновременном росте производительности на 30%. Кроме того, уровень производительности будет сопоставим со стандартной, используемой в персональных компьютерах, памятью DRAM. Что касается компактности, OEM-компании смогут оснащать свои устройства оперативной памятью объёмом в 2 Гб, используя четыре новых чипа, толщина корпуса которых составляет всего 0,8 мм.
Samsung, и без того уже являющаяся лидером в данном сегменте, собирается до конца года наращивать объёмы производства новых чипов. Компания Gartner прогнозирует на 2013 год рост рынка памяти на 13% до уровня $29,6 млрд., из которых $10 млрд. (35%) придутся на мобильные чипы.