Компании SanDisk и Toshiba обладают совместным предприятием по производству чипов памяти типа NAND на территории Японии, а также совместно занимаются разработкой новых технологических процессов. В начале недели представители компаний объявили о завешении разработки второго поколения технологического процесса, на котором уже в текущем месяце запланировано начать промышленное производство 19 нм чипов памяти NAND объёмом 64 Гб с возможностью записывать 2 бита информации в одну ячейку.
Основным преимуществом данного технологического процесса станет уменьшение размера ячейки памяти с 19х26 нм до 19х19,5 нм. В результате компактность расположения ячеек памяти на кристалле увеличится на 25%, что даст разработчикам возможность создавать более миниатюрные и производительные модели памяти. Размер минимальных чипов такого типа составит 94 мм2.
Программный алгоритм и модель управления многоуровневым хранением данных позволит сохранить высокий уровень производительности и надёжности выпускаемых чипов MLC NAND. Применяя метод высокоскоростной записи, в новом поколении чипов собираются добиться скорости записи в 25 Мб/с.
На этом же технологическом процессе Toshiba собирается начать в этом году выпуск чипов с возможностью хранения 3 бит в ячейке. Сначала будет разработан контроллер для памяти eMMC для работы в смартфонах и планшетах, далее настанет очередь продуктов для ноутбуков и входящих в них твердотельных накопителей.