Компания Samsung в эту пятницу объявила о начале промышленного производства оперативной памяти типа DDR4 по 20 нм технологическому процессу, которая войдёт в том числе в состав корпоративных серверов и дата-центров нового поколения. Первые модули станут доступны в будущем году; конкретные сроки пока не называются.
Южнокорейская компания в настоящее время выпускает широкий перечень продуктов, начиная от мобильных устройств и заканчивая серверами, которые выиграют от появления нового типа памяти собственного производства. То же самое относится к многочисленным OEM-производителям, продукты которых сейчас используют память производства Samsung.
Чипы памяти DDR4 объёмом в 4 Гб дадут возможность выпускать на их основе планки вместимостью 16 и 32 Гб. Они достигают новых вершин в плане скорости передачи данных, достигнув значения в 2667 МГц, что составляет прирост на 25% по сравнению с 20 нм памятью DDR3. Планки памяти объёмом 32 Гб будут функционировать на номинальной частоте 2133 МГц, при этом уровень энергопотребления будет снижен на 30%.
Спецификации DDR4 были представлены организацией JEDEC без малого год назад. Производительность DDR4 DRAM составляет от 1,6 до 3.2 GT/s на один контакт, при сниженном до 1,2 В номинальном напряжении. Поддержка данного типа памяти появится в будущем году в процессорах Intel Haswell-E.