Компания Micron Technology на этой неделе объявила о начале поставок инженерных образцов памяти типа Hybrid Memory Cube (HMC) объёмом 2 Гб производителям устройств для тестирования. HMC представляет собой новую технологию памяти, которая выглядит как расположенные друг над другом платы с чипами DRAM, соединённые вертикальными проводниками. Под памятью, в данном случае под четырьмя платами объёмом 4 Гбит каждая, располагается логический управляющий уровень. Размер всей конструкции составляет 31х31 мм; есть и ещё более портативные варианты – 16х19,5 мм с двумя платами и пропускной способностью 120 Гб/с. Впервые Intel и Micron представили данную разработку в 2011 году.
Куб может располагаться рядом с микропроцессором или использоваться наподобие модуля DIMM. Пропускная способность памяти составит 160 Гб/с и при этом уровень энергопотребления по сравнению с существующими решениями сократиться на 70% на бит.
Для сравнения, в процессорах Haswell интегрированный графический чип GT3 обладает памятью типа eDRAM объёмом лишь 128 Мб, так что использование подобной системы памяти объёмом 2 Гб могло бы значительно расширить его возможности.
В начале будущего года Micron собирается осуществить поставки инженерных образцов HMC по 4 Гб с пропускной способностью 320 Гб/с, и далее начать промышленное производство 2 и 4 Гб вариантов. Появление памяти данного типа в потребительских устройствах ожидается в ближайшие 3-5 лет.