Компания AMD анонсировала вчера совместную работу с SK Hynix в сфере разработки нового поколения 3D-памяти многоярусного типа (Stacked Memory) и продуктов на её основе. Сейчас существует потребность в большой пропускной способности памяти в APU производства AMD и графических видеокартах, и именно эту потребность позволит удовлетворить память подобного типа.
Такая память постепенно начинает поставляться в программируемых пользователем устройствах ППВМ (чипах FPGA), однако они не относятся пока к сфере потребительской электроники. Память HBM (high bandwidth memory) представляет собой несколько чипов, расположенных вертикально один поверх другого на основании одной печатной платы. Помимо экономии места происходит и сокращение уровня энергопотребления и тепловыделения. Например, на современных видеокартах с объёмом памяти более 4 Гб чипы располагаются также на обратной стороне печатной платы, повышая её температуру. Использование многоярусной 3D-памяти позволит избежать этого недостатка.
Естественно, главное преимущество 3D-памяти – производительность, превышающая показатели памяти GDDR5. Начало промышленного производства ожидается в 2015 году, в процессе производства будет использоваться технология 3D TSV и стандарт Wide I/O. Пропускная способность будет варьироваться в диапазоне 128-256 Гб/с при ширине шины памяти в 1024 бит и поддержке до восьми слоёв памяти.
Первое применение на массовом рынке многоярусная 3D-память с большой долей вероятности найдёт именно в видеокартах. Ими могут стать карты будущего поколения AMD на графических чипах Pirate Islands, выпускаемые по 20 техпроцессу. Подобное решение в этом году уже обещала Nvidia, в технологических планах которой на 2016 год значится GPU Volta с пропускной способностью многоярусной памяти в 1 Тб/с, тогда как в самой быстрой на данный момент видеокарте GeForce GTX 780 Ti она составляет 336 Гб/с.