Как известно, срок действия закона Мура постепенно истекает. Чем меньше становятся транзисторы в микропроцессорах и чем плотнее они располагаются, тем сложнее производителям даётся переход на более тонкие технологические процессы. Современные кремниевые транзисторы в скором времени достигнут физического предела своих возможностей, и для дальнейшего развития потребуется какой-либо качественный скачок.
Таковым, как считают многие физики, может стать использование графена. Исследователи из калифорнийского университета в Беркли занимаются разработкой нанолент на основе этого материала, которые, которые по сравнению с современными технологиями позволят повысить плотность расположения транзисторов в 10 тысяч раз.
Для создания подобных лент шириной в 10-20 атомов в настоящее время используется лазер. Точность при его работе требуется предельно высокая, поскольку избыток или недостаток всего одного атома может изменить свойства материала и устранить его высокую электрическую проводимость при комнатной температуре.
В Беркли решили вместо того, чтобы вырезать подобные ленты из больших по размерам, задействовать химический процесс. Таким образом, сам графен будет создаваться с нуля в уже нужной форме. Сначала осуществляется синтез атомов углерода. Нагревание при определённых условиях заставляет их выстраиваться в длинную цепь. Вторая стадия нагревания устраняет атомы водорода, давая атомам углерода формировать подобные сотам структуры.
Получающиеся в результате полосы графена обладают в тысячи раз большей проводимостью по сравнению с металлами, и они в 10 тысяч раз тоньше человеческого волоса. Заодно возрастает способность графеновых транзисторов рассеивать тепло. В случае усовершенствования технологии до уровня промышленного применения нас может ждать резкий прогресс множества компонентов вычислительной техники, от микропроцессоров до устройств хранения данных.