Компания Samsung представляет новую линейку твердотельных накопителей, вместительность которых достигает значения в 1 Тб. Нацеленные на высокопроизводительные персональные компьютеры, накопители базируются на новейшей памяти, выполненной на основе второго поколения технологии V-NAND, где слои памяти устанавливаются вертикально. Помимо модели объёмом 1 Тб представлены варианты 128, 256 и 512 Гб.
Разработчики говорят о росте жизненного цикла новых SSD в плане перезаписи данных и о росте энергоэффективности на 20% по сравнению с традиционными NAND-накопителями. К сожалению, пока не названа розничная стоимость новых накопителей.
В первом поколении чипов памяти V-NAND друг поверх друга в одном чипе устанавливались 24 слоя хранения данных; во втором поколении это число выросло до 32. Передача данных между слоями осуществляется через проприетарную технологию соединения.
Технология вертикального расположения носителей данных становится всё более популярной по мере того, как происходит переход на всё более тонкие техпроцессы, а устройства становятся компактнее и энергоэкономичнее. До конца года Samsung обещает представить новые устройства на последнем поколении чипов V-NAND.