Компания Samsung Semiconductor на этой неделе анонсировала новое поколение своей технологии V-NAND (вертикальной флеш-памяти), которое должно будет снизить стоимость и энергопотребление будущих твердотельных накопителей. Это первая 3-битная (TLC) память стандарта 3D V-NAND, выпускается она на 32 нм технологическом процессе. Поставки первых SSD на её основе, по словам вице-президента Samsung Semiconductor Боба Бреннана, могут начаться ещё до конца года. Их объём будет достигать 2 Тб.
В рамках данного подхода используется вертикальное расположение слоёв, что позволяет заметно повысить плотность хранения данных в рамках одного чипа. Увеличение же плотности хранения данных на традиционных планарных чипах становится всё более дорогостоящим и затруднительным с технической точки зрения, поскольку близкое расположение ячеек увеличивает число ошибок.
Samsung представила V-NAND память с 24 слоями в прошлом году, а в этом году свет увидела модификация с 32 слоями. С ними уже ведутся поставки накопителей серии 850 Pro, в надёжности которых южнокорейский производитель уверен настолько, что даёт 10-летнюю гарантию. В обоих случаях стоимость накопителей в пересчёте на 1 бит ниже, чем у распространённой сейчас традиционной NAND-памяти.
К 3-битной памяти последнее утверждение относится в ещё большей степени. В будущем Samsung надеется увеличить число слоёв до 90-100. По словам Бреннана, накопители на данных чипах будут делать ставку на максимальный объём, а не производительность.