Несколько недель назад в сети появились сообщения о том, что твердотельные накопители Samsung 840 Evo у ряда пользователей после определённого времени работы начинают испытывать необъяснимое падение производительности. Теперь Samsung выпускает призванное решить данную проблему программное обновление и информацию о её причинах.
Оказалось, что накопитель неправильно рассчитывает, какой уровень напряжения должен быть в ячейке для считывания данных. При записи данных в память типа TLC NAND они сохраняются на одном из восьми уровней напряжения. Со временем этот параметр начинает самопроизвольно изменяться, и накопитель должен вносить поправку для правильного считывания старых данных. Поскольку у памяти TLC долговечность и без того ниже конкурирующих стандартов, перезапись данных в этом случае непригодна.
Проблема Samsung 840 Evo: алгоритм калибровки уровня напряжения в ячейках работал неправильно. Когда срок хранения данных достигал около 30 дней, начинались проблемы со считыванием: вместо ожидаемых данных накопитель видел другие, число циклов чтения возрастало и приводило к падения производительности. К счастью, увеличение числа циклов чтения на долговечность NAND-памяти не влияет. Данное приложение (Samsung SSD 840 EVO Performance Restoration Software) восстановит производительность накопителя, однако у него есть достаточно много оговорок. Инструкция по его работе доступна здесь. Выделить можно следующие пункты:
- поддерживаются только разделы MBR и GPT
- диск не должен быть защищён паролем или стандартами TCG/Opal или Encrypted Drive
- для работы приложения не менее 10% диска должно быть свободно от данных
- прошивка не будет обновлена при использовании контроллера диска от AMD
- поддерживается файловая система NTFS. Обновления для Mac OS X и Linux обещаны позднее
- не поддерживаются конфигурации RAID
- после обновления компьютер будет перезагружен.
При установленной на SSD операционной системы обновление нужно выполнять из неё; при загрузке из системы на другом диске операционная система на накопителе будет удалена.