Одним из наиболее вероятных кандидатов на звание памяти следующего поколения является резистивная память (ReRAM или RRAM), а одной из продвигающих её компаний является компания Crossbar. В этом типе памяти используется электрическое сопротивление, а не разное значение заряда внутри ячеек. Crossbar сообщила о готовности начать коммерческое распространение памяти ReRAM, что означает возможность её производства на существующих предприятиях и технологиях и поиск партнёров по выводу на рынок.
ReRAM обладает несколькими преимуществами по сравнению с памятью NAND. Жизненный цикл NAND ограничен, и это ограничение растёт с переходом на более тонкие технологические процессы, требуя применения всё более сложных алгоритмов коррекции ошибок. При этом производительность уже не растёт столь быстро, как прежде, и её рост всё больше связан с совершенствованием контроллеров памяти и системных интерфейсов, а не структуры NAND.
ReRAM не имеет ряда недостатков NAND. Перед программированием ячеек не требуется стирать их содержимое, скорость работы выше, а энергопотребление меньше. Для программирования одной ячейки NAND требуется 1360 пДж (пикоджоулей), в ReRAM это значение равно 64 пДж на ячейку. В ячейке можно хранить два бита данных, как и в NAND-памяти стандарта MLC, можно располагать ячейки вертикально, как в памяти 3D-NAND.
Разработчики также уверены, что новая память снизит сложность микроконтроллеров, что позволит уменьшить себестоимость разработки и производства конечных продуктов. В настоящее время Crossbar лицензирует свои разработки для производителей чипов стандартов SoC, ASIC и FPGA, начало поставки первых образцов запланировано на 2015 год. Первыми устройствами с новой памятью станут встраиваемые вычислительные системы и приложения, где задействовано малое количество постоянной памяти и невелик расход энергии.
Память ReRAM представляет собой пример ещё одной перспективной технологии, о которых пишут в восторженных тонах как о будущей революции, и которые никак не дойдут до массового распространения в потребительских устройствах. Хотя IT-индустрия воспринимается как динамично развивающаяся отрасль, в основе её зачастую лежат не меняющиеся на протяжении десятилетий технологии. Причину этого можно искать в сфере экономики – компании вроде Samsung, Intel или Micron вложили в разработку и производство памяти NAND миллиарды долларов и не станут отказываться от неё ради конкурирующего решения даже с превосходящими характеристиками.
Поэтому в 2015-2018 годах можно ждать дальнейшего распространения памяти 3D NAND. ReRAM может найти применение в узком сегменте, вроде оборудования для фондовых бирж, где на счету каждая миллисекунда обработки и передачи данных. В обычных же пользовательских компьютерах разницы в быстродействии может и не ощущаться.
Однако в долгосрочной перспективе у ReRAM есть преимущества. Технология масштабируема до 5 нм техпроцесса, тогда как относительно NAND есть сомнения в достижении даже 10 нм.