Компания SanDisk во вторник анонсировала производство 256-битных 48-уровневых чипов памяти 3D NAND с трёмя битами на ячейку. Ближайших конкурентов эти чипы опережают по плотности хранения данных вдвое. Первые образцы чипов производятся сейчас в Японии совместно с компанией Toshiba.
Toshiba и SanDisk объявили о сотрудничестве в прошлом году, намереваясь совместно использовать фабрику для производства пластин для чипов памяти V-NAND. Тогда сумма сделки оценивалась в $4,84 млрд. В марте нынешнего года Toshiba анонсировала первые 48-слойные чипы 3D V-NAND.
Подобные чипы, как ожидается, будут достигать ёмкости 1 Тб, тогда как максимум для Toshiba в смартфонах и планшетах составляет сейчас всего 64 Гб. Начало поставок ожидается в следующем году.
Технология вертикального расположения слоёв Toshiba носит название BiCS (Bit Cost Scaling) и относит чипы к типу TLC за счёт возможности хранения трёх значений в ячейке. Чипы SanDisk 256 Гбит X3 BiCS разработаны с прицелом на потребительские, клиентские, мобильные и промышленные продукты. Новые чипы могут вмещать 32 Гб против ранее доступных 16 Гб.