В минувшие выходные компания Samsung на своём японском веб-сайте на короткое время выставила (вероятно, по ошибке) информацию о будущих твердотельных накопителях линейки 750 EVO SSD. Судя по сведениям, которые успели сохранить журналисты, накопители используют контроллер Samsung MGX, тот же самый, что и в серии 850 EVO и более дорогостоящих 850 Pro.
При этом на страницах сайте не была упомянута память 3D V-NAND, из чего можно предположить, что накопители будут использовать планарные чипы 2D TLC NAND, вроде применяющихся в SSD 840 Evo. Это может быть первый продукт с памятью TLC на основе 16 нм техпроцесса, или же может снова использоваться 19 нм.
Зато известно о производительности - скорость последовательного чтения данных составит до 540 Мб/с, записи до 520 Мб/с. При глубине очереди 32 скорость чтения случайных блоков равна 94000 IOPS, записи 88000 IOPS. Также накопители поддерживают шифрование AES 256-бит FDE, TCG Opal 2.0, режим Rapid Mode и протокол IEEE 1667.
Всё это описание относится к модели вместимостью 120 Гб, также на сайте была нерабочая ссылка на модель 250 Гб. На накопители будет даваться 3-летняя гарантия.