Компания Samsung в четверг объявила, что начинает промышленное производство чипов памяти объёмом 256 Гб для мобильных устройств. Они основаны на технологии Samsung V-NAND и используют стандарт Universal Flash Storage (UFS) 2.0, обладая размерами меньше карт памяти microSD. Вместимость является не единственным интересным параметром этих чипов, поскольку они ещё и чрезвычайно быстры.
Samsung использует два канала передачи данных, что позволяет достичь последовательной скорости передачи данных в 850 Мб/с. Это почти вдвое больше по сравнению со среднестатистическими твердотельными накопителями с интерфейсом SATA. Однако скорость последовательной записи уже не столь велика, составляя до 260 Мб/с.
Скорость чтения случайных блоков данных равняется 45000 IOPS, записи 40000 IOPS. Для сравнения, в прошлом поколении Samsung UFS скорости чтения и записи были 19000 и 14000 IOPS. По словам разработчиков, 256 Гб позволят сохранять примерно 47 фильмов в формате Full HD. Для смартфонов с поддержкой интерфейса USB 3.0 будет возможность передавать файлы размером 5 Гб примерно за 12 с. Для фильмов формата 4K это займёт чуть дольше, но быстрее современных решений.
Поскольку карты памяти периодически пропадают из флагманских смартфонов, расширение объёма встроенной памяти мобильных устройств становится всё важнее. Также есть вариант с облачными хранилищами, однако он не всегда доступен при отсутствии безлимитного подключения или сетей Wi-Fi.