Intel отложила выпуск процессоров на основе 10 нм технологического процесса, зато Samsung на этом же техпроцессе готовится представить оперативную память. Компания начала промышленное производство первых чипов DDR4 объёмом 8 Гбит, опередив своих конкурентов - SK Hynix и Micron. Она будет выпускать модули SIMM объёмом от 4 Гб для ноутбуков до 128 Гб для серверов на предприятиях. В недалёком будущем Samsung обещает представить 10 нм мобильные чипы DRAM.
В прошлом году южнокорейский производитель выпустил 10 нм чипы памяти NAND для твердотельных накопителей и других продуктов для хранения данных, но у оперативной памяти требования к размерам жёстче. Волатильная память требует наличия ёмкости вместе с транзистором, поэтому все компоненты должны быть меньше. Ещё сильнее усложняет процесс необходимость «устанавливать узкие конденсаторы в форме цилиндров поверх нанометровых транзисторов, создавая более 8 млрд. ячеек».
Для достижения такой цели прошлось улучшить технологию, в результате чего чипы стали на 30% производительнее и на 20% энергоэффективнее по сравнению с прошлым поколением 20 нм чипов Samsung. Новая оперативная память сначала появится в ноутбуках, а после в ПК.