В настоящее время самыми продвинутыми являются чипы на технологическом процессе 10 нм. Samsung начала производство подобных процессоров одной из первых. Чем меньше размер транзисторов, тем более производительные и энергоэффективные процессоры получаются и тем больше транзисторов умещается внутри. Закономерность увеличения количества транзисторов в чипах описывается законом Мура 1965 года от одного из основателей компании Intel Гордона Мура.
Samsung представила планы, согласно которым она доберётся до технологического процесса 4 нм. На мероприятии Samsung Foundry Forum состоялась презентация, из которой следует, что следующим шагом Samsung станет 8 нм с применением технологического процесса Low Power Plus. Технологический процесс 7 нм Low Power Plus станет первым с применением литографии Extreme Ultra Violet. Когда южнокорейский производитель доберётся до 6 нм Low Power Plus, он станет применять Smart Scaling, что повысит энергоэффективность ещё сильнее.
Далее компания перейдёт на 5 нм Low Power Plus, а затем на 4 нм. Здесь впервые станет использоваться новое поколение архитектуры под названием Multi Bridge Channel FET, которая признана обойти ограничения в плане производительности и масштабирования архитектуры FinFET.
Переход с 10 нм на 4 нм потребует времени, в процессе могут возникнуть неизвестные в данный момент проблемы. Несмотря на это, с каждым новым шагом вперёд пользователи будут получать рост скорости и продолжительности работы мобильных устройств.