Еще совсем недавно, в сентябре, южнокорейская корпорация Samsung объявила о разработке первого в мире 50нм модуля памяти DDR3 объемом 2Гб. Сегодня утром, крупнейшая в мире корпорация по производству потребительской электроники объявила, что она удвоила этот объем. Модуль DDR3 объемом 4Гб (55 нм) является самым передовым на сегодняшний день.
Новая 4Гб DDR3 память разработана с применением последних достижений в области энергосбережения, поэтому она потребляет всего 1.35v, а это 20% улучшение по сравнению с 1.5v модулями. Новинка работает на частоте 1600МГц. В конфигурации с 16Гб памяти, может наблюдаться 40% снижение потребления энергии, по сравнению с 2Гб модулями DDR3, из-за своей высокой плотности, и использованию 32 чипов вместо 64.
Пресс-релиз корпорации можно найти по этому адресу.