Университет Калифорнии разрабатывает энергонезависимую оперативную память MeRAM

OSzone.net » Новости » Hardware » Университет Калифорнии разрабатывает энергонезависимую оперативную память MeRAM
Автор: Алексей Алтухов
Иcточник: vr-zone.com
Опубликована: 19.12.2012

Исследователи из университета Лос-Анджелеса занимаются в настоящее время разработкой нового типа оперативной памяти, которая носит название MeRAM. Магнитоэлектрическая оперативная память является дальнейшим усовершенствованием более ранней разработки этого же университета, памяти типа MRAM – магниторезистивного типа.

MRAM использует технологию spin transfer torque (что примерно можно перевести как передача момента импульса элементарных частиц), которая основана на вращении электронов и связанном с ним магнитным импульсом для хранения информации. Плотность размещения этой информации здесь не слишком велика, так что объёмных продуктов памяти данного типа ждать не приходится. Слишком близкое расположение электронов друг к другу ведёт к ошибкам при записи данных. С этой проблемой призвана разобраться память типа MeRAM. Вместо потока электронов для записи данных используется разность потенциалов частиц, позволяя уменьшить нагревание. Такой подход к записи данных позволяет увеличить их плотность в пять раз, заодно сокращая уровень потребления энергии от десяти до тысячи раз.


*

В MeRAM используется наноструктура, контролируемые напряжением магнитно-изолированные узлы, которые в несколько уровней установлены друг на друга. Между ними расположены в два уровня прослойки магнитного материала: из них один обладает фиксированным направлением магнитного поля, в то время как у второго оно варьируется в зависимости от приложенного напряжения. При воздействии электрического поля между этими двумя слоями возникает разность потенциалов. Благодаря этой разности на поверхности слоёв скапливают электроны, за счёт которых и ведётся запись данных.

У различных типов памяти, как ставших популярными, так и не прижившихся - SRAM, DRAM, Rambus DRAM, SDRAM и DDR SDRAM, можно выделить одну общую черту, а именно энергозависимость. При выключении питания хранимые данные теряются окончательно и бесповоротно. MeRAM станет исключением из этого ряда, как и память типа MRAM. Последняя уже выпускается, что поспособствует более лёгкому распространению нового типа, поскольку их производство имеет много общих черт и может осуществляться на одних и тех же предприятиях.


Ссылка: http://www.oszone.net/19533/non-volatile_MeRAM_better_and_more_power_efficient_than_current_memory