Современные смартфоны верхнего сегмента предлагают 64 Гб флеш-памяти плюс карты памяти с максимальной вместимостью 128 Гб. Между тем, возможности аппаратов растут, экраны достигают разрешения Quad HD, а камеры уже способны записывать видео в формате Ultra HD, для хранения которого может понадобиться немало места. Специалисты расположенного в Техасе университета Райса (Rice University) работают над тем, чтобы постоянная память смартфонов стала исчисляться терабайтами.
Большинство ведущихся в этом направлении разработок не готовы к промышленному производству по причине необходимости переоборудования сборочных линий. Однако в данном случае, задействовав резистивную память, решение было найдено для существующих промышленных мощностей и комнатных температур. Технология разрабатывалась на протяжении пяти лет, в ней используется пористый оксид кремния (на который также возлагается одна из многих надежд в плане будущих поколений аккумуляторов). Отверстия заполняются металлами, вроде золота или платины.
Среди плюсов новой памяти фигурируют пониженное энергопотребление, высокая плотность хранения информации (9 бит в ячейке) и отсутствие нагрева. Замена флеш-памяти на RRAM позволит создавать чипы размером с почтовую марку вместимостью 1 Тб. Разработчики говорят, что множество производителей памяти уже высказали заинтересованность, надеясь приобрести лицензию для производства собственных брендов памяти нового типа. Первые продукты для встраиваемых компьютерных систем и автомобильной промышленности должны появиться до конца года.