Поиск на сайте: Расширенный поиск


Новые программы oszone.net Читать ленту новостей RSS
CheckBootSpeed - это диагностический пакет на основе скриптов PowerShell, создающий отчет о скорости загрузки Windows 7 ...
Вы когда-нибудь хотели создать установочный диск Windows, который бы автоматически установил систему, не задавая вопросо...
Если после установки Windows XP у вас перестала загружаться Windows Vista или Windows 7, вам необходимо восстановить заг...
Программа подготовки документов и ведения учетных и отчетных данных по командировкам. Используются формы, утвержденные п...
Red Button – это мощная утилита для оптимизации и очистки всех актуальных клиентских версий операционной системы Windows...
OSzone.net Новости Hardware Компания Crossbar представила память Resistive RAM, которая в 20 раз быстрее NAND RSS

Компания Crossbar представила память Resistive RAM, которая в 20 раз быстрее NAND

Текущий рейтинг: 4.64 (проголосовало 14)
 Посетителей: 1403 | Просмотров: 1533 (сегодня 0)  Шрифт: - +

Сегодня в Калифорнийском городе Санта-Клара, который известен всему миру в качестве места дислокации штаб-квартир ряда крупнейших IT-компаний, включая Intel и Nvidia, состоялся анонс от компании поменьше. Впрочем, последствия этого анонса для индустрии могут оказаться довольно заметными. Компания-стартап (основана в 2010 году) под названием Crossbar представила технологию, которая позволит заметно увеличить объём постоянной памяти персональных компьютеров и смартфонов, при этом ещё и увеличив продолжительность автономной работы устройств.

Пресс-релиз компании рассказывает о технологии под названием Resistive RAM (RRAM), энергонезависимой памяти, благодаря которой нам обещают 1 Тб памяти под крышкой одного чипа размером меньше почтовой марки. Несколько таких чипов могут быть вертикально интегрированы, увеличивая объём памяти до десятков и сотен терабайт.


*

Объём является не единственным плюсом новой памяти: скорость записи обещана в 20 раз быстрее, чем в чипах NAND, при в 20 раз меньшем энергопотреблении. При половине площади чипов по сравнению с флеш-памяти говорится о вдвое большем времени наработки на отказ.

В отличие от других технологий, эта не использует транзисторы и не захватывает электрический заряд. Вместо этого используется поуровневый подход к хранению данных. Ячейка памяти обладает тремя уровнями с переключателем посередине, и хранит 0 или 1. Верхний уровень содержит металлический электрод, а нижний неметаллический. Верхний уровень отправляет ионы металла через переключатель на нижний уровень, создаётся нить, держащая электроды в связанном состоянии. Приложение отрицательного заряда разрывает её, изменяя статус сохранённой частицы информации. В производстве используются уже существующие материалы, а прототипы сделаны на заводах TSMC.


*

Разработчики также сообщили, что готовы к реализации первые коммерческие продукты на основе данных чипов, однако возможного распространения в устройствах бытовой электроники наверняка предстоит подождать не меньше пары лет. Компания будет реализовывать чипы своими силами, а также продавать лицензии на их создание сторонним производителям. Технология защищена примерно тридцатью патентами. Что касается стоимости, она должна быть более низкой, чем у NAND-памяти, по причине более дешёвого производственного процесса.

Автор: Алексей Алтухов  •  Иcточник: pcworld.com  •  Опубликована: 05.08.2013
Нашли ошибку в тексте? Сообщите о ней автору: выделите мышкой и нажмите CTRL + ENTER


Оценить статью:
Вверх
Комментарии посетителей
Комментарии отключены. С вопросами по статьям обращайтесь в форум.