Samsung создала 20 нм чипы NAND флеш памяти

Чипы NAND флеш памяти используются практически во всех современных электронных устройствах. Во всем - от цифровых камер и смартфонов до ноутбуков и портативных мультимедийных плееров - используются чипы NAND флеш памяти. Столь массовое распространение заставляет производителей переходить на использование новых технологических процессов, что позволяет не только уменьшить себестоимость конечного продукта, но и увеличить показатели скорости чтения и записи чипов памяти.

Компания Samsung, южнокорейский индустриальный гигант (штаб-квартира находится в городе Сеул), сообщила о переходе на новый технологический процесс. Она начала производство 20 нанометровых чипов NAND флеш памяти архитектуры MLC. Новые чипы станут основой для создания карт памяти типа Secure Digital (SD) и встроенных модулей памяти смартфонов. В продаже вскоре появятся накопители объемом от 4 до 64 гигабайт, основанные на базе новых 20 нанометровых чипов MLC NAND флеш памяти компании Samsung объемом 16 гигабит каждый.

«Через один год после внедрения 30 нанометрового технологического процесса компания Samsung создала 20 нанометровые чипы NAND флеш памяти, предназначенные для высокопроизводительных электронных устройств» - сказал Су-Ин Чо (Soo-In Cho), руководитель отдела Samsung Electronics, который занимается чипами памяти. «Новые 20 нанометровые NAND флеш чипы являются не только следующим шагом в развитии технологического процесса, а еще и прекрасным решением для увеличения производительности».

Согласно данным инженеров компании Samsung, карты памяти типа SD, основанные на базе 20 нанометровых чипов, будут работать на 30 процентов быстрее, чем существующие 30 нанометровые продукты. Такие карты памяти обеспечат скорость чтения до 20 МБ/с, а скорость записи — до 10 МБ/с (рейтинг скорости - Class 10). Руководство Samsung надеется до конца 2010 года поставить на рынок целую линейку разнообразных продуктов, основанных на базе 20 нанометровых чипов памяти.