Toshiba и SanDisk представили образец 32 нм флеш-памяти типа NAND

На недавней выставке и конференции по нанотехнологиям Nanotech 2009 (INEC) в Хьюстоне , партнеры Toshiba и SanDisk представили опытные образцы 300-мм платы с архитектурой 32 нм и 32-гигабитного (4ГБ) чипа флеш-памяти типа NAND. Toshiba объявила, что, компания уже предоставила своим партнерам опытные образцы 32 нм памяти, которая как ожидается появится уже в сентябре этого года.

Чип флеш-памяти типа NAND построен на 3-х битовой архитектуре. Устройства имеющие подобного рода архитектуру смогут при меньших размерах обеспечить большую емкость, а также снизить уровень энергопотребления. Пока, в распоряжении Toshiba имеются образцы чипов 32ГБ (4ГБ), но компания также планирует получить образцы стандартных моделей емкостью 64ГБ (8ГБ) уже в июле этого года.

Таким образом компания подтвердила, что массовое производство 32 нм NAND моделей начнется на два месяца раньше срока. Ожидается, что 32 нм чипы на 8 ГБ появятся в продаже в четвертом квартале этого года. Toshiba также заявила, что начнет производство памяти в диапазоне 20-30 миллимикронов, где-то в конце 2010 или в начале 2011 года.