Samsung внедряет 30-нм производство DDR3-чипов

Компания Samsung начинает переходить на недавно освоеный 30-нм техпроцесс для производства микрочипов памяти DDR3 и DRAM. Уже в середине года на рынки должны поступить первые чипы оперативной памяти емкостью 2 гигабайта изготовленные по новой технологии.

До этого, чипы памяти производились с использованием 40 и 50-нм техпроцесса. Новый 30-нм техпроцесс имеет ряд преимуществ по сравнению с предыдущими. В частности, должна снизится себестоимость производства, поскольку выход чипов с одной подложки увеличиться на 60%. Также снизиться энергопотребляемость. Новые микросхемы потребляют на 30% меньше электричества чем 50-нм микросхемы с такой же емкостью. Опыты показали, что модуль памяти для ноутбука в 4Гб на базе 30-нм чипов потребляет всего 3 ватт-часа, что составляет около 3% от всей электроэнергии потребляемой ноутбуком.

Инженеры Samsung уже назвали свои чипы Green DDR3. По их мнению, DDR3-память передовой технологии в ближайшее время будет использоваться и в серверных системах, и в настольных компьютерах, и в ноутбуках, и в других портативных и мобильных устройствах.