Samsung начала производство 30-нм чипов памяти Green DDR3 объемом 2 гигабита

Южнокорейская компания Samsung Electronics, лидер мирового рынка оперативной памяти, сообщила о том, что начала массовое производство первых в отрасли 30-нм чипов памяти Green DDR3 объемом 2 гигабита. "Мы быстро отреагировали на растущий в мире спрос на чипы памяти типа DDR3 и поставили на конвейер свою новую 30-нм технологию Green DDR3", - сказал Су-Ин Чо, президент отдела оперативной памяти и полупроводникового бизнеса компании Samsung Electronics.

"30-нм оперативная память типа DDR3 DRAM принесет повышение производительности и снижение уровня энергопотребления для персональных компьютеров и серверов, а также увеличит скорость работы многих программ при использовании многоядерных процессоров". Модули оперативной памяти, основанные на 30-нм чипах Samsung Green DDR3 объемом 2 гигабита, являются самыми высокопроизводительными решениями в отрасли, основанные на базе инновационного цикличного дизайна. Подобные модули памяти, предназначенные для серверов, способны пропускать 1,866 гигабит данных в секунду, работая на напряжении 1,35 вольта, в то время, как модули для персональных компьютеров пропускают 2,133 гигабита данных при рабочем напряжении 1,5 вольта. Данный показатель в два раза превышает параметры оперативной памяти типа DDR2 и в полтора раза превышает параметры 50-нм памяти типа DDR3.

Массовое распространение смартфонов существенно увеличило глобальный Интернете-трафик и в разы повысило нагрузку на вычислительные центры. Новые 30-нм чипы оперативной памяти типа DDR3 компании Samsung позволят увеличить мощность серверов и более рационально расходовать электроэнергию. Данное решение станет следующим этапом в развитии серверного оборудования для облачных вычислений и виртуализации. Энергопотребление серверов при использовании 30-нм модулей оперативной памяти типа DDR3 снизится на 20 процентов в сравнении с 50-нм модулями памяти DDR3. Совместно с многоядерными центральными процессорами модули оперативной памяти Samsung DDR3 объемом 4 гигабайта, основанные на 30-нм чипах компании, способны ускорить работу персональных компьютеров на 60 процентов, а энергопотребление снизить на 65 процентов, в сравнении с 50-нм модулями типа DDR3 объемом 2 гигабайта. В целом 30-нм память компании Samsung является на 155 процентов более эффективной (соотношение производительности и энергопотребления), чем 50-нм память этого же производителя.

Инженеры южнокорейского индустриального гиганта не намерены останавливаться на достигнутом и надеются в конце текущего года закончить работу над 30-нм чипами памяти типа DDR3 в два раза более высокого объема - 4 гигабита. Совсем скоро в продаже появятся новые модули оперативной памяти компании Samsung: модули RDIMM для серверов объемом 4, 8, 16 и 32 гигабайта, модули UDIMM для персональных компьютеров и рабочих станций объемом 2, 4 и 8 гигабайт, модули SoDIMM для ноутбуков и компьютеров типа all-in-one PC объемом 2, 4 и 8 гигабайт.