Представлены первые чипы флэш-памяти, создаваемые по 20 нм техпроцессу

Совместное предприятие компаний Intel и Micron под названием IM Flash Technologies (IMFT) во второй половине следующего года намеревается запустить в производство чипы флэш-памяти типа NAND 128 Гбит. Пока же в массовое производство поступили чипы NAND 64 Гбит, создаваемые по 20 нм технологическому процессу. Так что в следующем году можно ждать новой волны твердотельных накопителей, с возросшими объёмами.

В настоящее время 20 нм процесс является самым передовым в производстве чипов флэш-памяти. Однако 64 Гбитные решения являются лишь вехой на пути к 128 Гбитным моделям, которые также будут выпускаться по этому процессу, однако обладать некоторыми усовершенствованиями. Ёмкость одного чипа составит 128 Гбайт, они будут поддерживать спецификацию ONFI 3.0, делающую возможной скорость передачи данных до  333 млрд. пересылок в секунду.

Для производителей новые чипы дадут возможность создавать более объёмные накопители, например для достижения объёма 1 терабайт SSD должен будет содержать восемь таких чипов. Для большей сохранности данных разработчики создали так называемую «плоскую структуру ячеек», что, по достаточно туманному пресс-релизу, делает создание 20 нм чипов столь же надёжным, как и 25 нм продуктов. Ещё одним нововведением при производстве этих чипов станет использование металлических затворов Hi-K.

IMFT уже в январе предоставит своим партнерам образцы новых 128 Гбитных чипов. Что ж, будем ждать появления смартфонов со встроенной памятью объёмом 128 Гбайт.