Samsung начинает производство памяти LPDDR3 DRAM 2 Гб

Компания Samsung начала производство модулей оперативной памяти LPDDR3 ёмкостью 2 Гб по 30 нм технологическому процессу для мобильных устройств. Для её создания используются четыре чипа LPDDR3, объединенные под одним корпусом.

По мнению представителей Samsung, новая память является необходимым шагом в эволюции мобильных устройств, которые оснащаются всё более быстрыми микропроцессорами, экранами с более высокими разрешениями и постоянно совершенствующимися графическими чипами. В памяти LPDDR3 скорость передачи данных на один контакт составляет 1600 Мбит/с, что является значительным шагом вперёд по сравнению с LPDDR2 с её 1066 Мбит/с. Таким образом, суммарная скорость передачи данных достигает 12,8 Гбит/с.

Разработчики полагают, что повышенная производительность окажется немедленно востребованной среди производителей мобильных устройств, в частности благодаря улучшенному воспроизводству видео формата высокой чёткости. Его просмотр станет возможен в режиме онлайн, без необходимости закачки в устройство.

Ещё одной новостью из стана Samsung и мира памяти является начало производства компанией памяти типа eMMC ёмкостью 128 Гб для мобильных устройств. Помимо возросшей ёмкости новые чипы также стали быстрее, и по-прежнему удовлетворяют требованиям спецификации JEDEC eMMC v4.5. Для их производства используются чипы NAND, выпускаемые по 20 нм техпроцессу, и интерфейс DDR 2.0.