Новый чип LPDDR4 от Samsung ведёт к проявлению смартфонов с 4 Гб оперативной памяти

Поспособствовать продвижению на рынке нового поколения смартфонов Samsung может увеличение объёма оперативной памяти в них. Сейчас флагманские смартфоны предлагают в большинстве своём 2 Гб памяти, и лишь некоторые, вроде Galaxy Note 3, обладают 3 Гб. Сегодня Samsung анонсировала разработку мобильной памяти DRAM LPDDR4 объёмом 8 Гбит.

Данный чип создан на основе 20 нм технологического процесса и позволяет умещать на одном кристалле 1 Гб памяти. В результате новинка обладает наибольшей плотностью среди всех представителей памяти DRAM. Помимо объёма, разработчики говорят о высоком быстродействии при низком уровне энергопотребления.

Четыре подобных чипа могут быть объединены в едином корпусе для создания памяти LPDDR4 объёмом 4 Гб, которую можно будет использовать в смартфонах или других мобильных устройствах. Новый интерфейс Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL) позволит передавать данные на скорости 3200 Мбит/с, что вдвое выше, чем у применяемой сейчас 20 нм памяти LPDDR3. При этом рабочее напряжение составляет 1,1 В и используется 40% энергии по сравнению с LPDDR3, производительность же здесь выше в полтора раза.

Преимуществами использования новой памяти станет увеличение скорости работы приложений и продолжительности автономной работы, а также возможность выпускать экраны с более высокими разрешениями (хотя уже сейчас анонсируются модели с дисплеями 1440 х 2560 пикселей, целесообразность которых при их небольших размерах многими ставится под сомнение).

Начало промышленного производства новой памяти намечено на 2014 год.